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美国国家半导体推出全新系列高电压降压控制器,可提供高达75V的输

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  美国国家半导体公司 (National Semiconductor)宣布推出4款全新的高电压非同步降压控制器,其完备的功能特性主要包括:适用于极高的输入电压,可以提供卓越的脉冲宽度调制(PWM)控制,而且还可减少电磁干扰(EMI)。
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  这几款高度集成且操作简单的降压控制器可以在高输入电压下,产生功率灵敏的低电压电路,最适用于电信、网络系统及工业基建设备。新推出的这几款控制器属於PowerWise高能源效率产品,当利用高供电电压驱动低电压负载时,效率可高达85%。
  LM5085、LM25085、LM5088以及LM25088等4款降压控制器除了适用于高达75V的输入电压以外,还可将输出电压调低至1.2V,并输出5A以上的负载电流。此外,这4款控制器都只需利用一个电阻便可设定开关频率(最高可达1MHz),使系统设计工程师可以因方案大小及效率要求将系统设计优化。LM5085及LM5088两款芯片适用于高达75V的输入电压,而LM25085及LM25088两款芯片则更适用于高达42V的输入电压。
  采用16引脚TSSOP封装的LM5088及LM25088控制器不但功能完备,而且噪声极低,最适用于高电压的降压系统。这两款N沟道MOSFET控制器采用仿电流模式(ECM)控制的PWM控制拓扑结构,可将极高的输入电压调低至1.2V,然后将输出电压稳定在这个低水平。此外,这两款控制器设有独特的频率抖动功能,确保这一频率的变化不会超出其额定值的5%,从而简化电源供应的设计,并将典型应用的电磁干扰最高振幅减少10dB或更多。由于这两款芯片也可与外置时钟同步,因此可以进一步抑制系统的电磁干扰。
  LM5085及LM25085属于小型的P沟道MOSFET控制器,采用8引脚的迷你型SOIC及LLP 封装,可以支持多种不同的高电压降压系统。由于这两款芯片采用固定导通时间(COT)的控制方法,因此负载瞬态响应极快,而且无需提供环路补偿,令外置元件可以减至最少,有助于简化电路设计。此外,无论采用什么线路及负载,内置的输入前馈电路都可确保开关频率几乎恒定不变,以便轻易滤除电磁干扰。由于这两款芯片都内置P沟道MOSFET驱动器,因此可进一步减少外置元件数目,而且还可将操作时的占空比提高至100%,即使输入电压稍微高于输出电压,也能确保输出电压的稳定。
  

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