3、对硅片表面和内部结晶特性及氧含量的要求
对VLSI和ULSI来说，距硅片表面10μm左右厚度区域为器件活性区， 要求该区域性质均匀且无缺陷。64M和256M电路要求硅片的氧化诱生层错(OSF)≤20／cm2 。为达到此要求， 目前比较成熟的工艺是采用硅片吸除技术，分为内吸除和背面损伤吸除(也叫外吸除)。现在器件厂家都根据器件工艺的需要，对硅片提出了某种含氧量要求。硅材料生产厂应根据用户要求进行控氧生长硅单晶。
4、对硅片大直径化的要求
出于提高生产率、降低成本的目的，器件厂家随着生产规模的扩大，也逐步要求增大硅片直径，使同等规模芯片的收得率明显提高，给器件厂家来极为显著的经济效益。目前国际市场上硅片的流直径是200mm，1999 年全球硅片用量的分布情况是： 200mm占47％； 150mm占32％； 125mm占15％；100mm占6％。2000年直径200mm硅片的用量进一提高，同时也提出了向300mm和400mm逐步发展要求。2001年和2002年开始逐步加大300mm硅片使用量。到2014年，直径将达到450mm。微电子业对硅片的要求详见表1所示。
三、近年来国际硅材料的发展状况
1、多晶硅概况
近年，多晶硅材料厂家的生产规模大多在千级经济规模以上，并实行综合利用，以提高生产益，同时减少了对环境的污染。多采用改良西门法生产半导体级多晶硅，这样，可使单位电耗由去每公斤300Kw／h
半导体硅材料和光电子材料的发展现状及趋势
随着微电子工业的飞速发展, 作为半导体工业基础材料的硅材料工业也将随之发展，而光电子科技的飞速发展也使半导体光电子材料的研究加快步伐，所以研究半导体硅材料和光电子材料的发展现状及未来发展趋势势在必行。现代微电子工业除了对加工技术和加工设备的要求之外,对硅材料也提出了更新更高的要求。
在当今全球超过2000亿美元的半导体市场中,95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是用高纯优质的硅抛光片和外延片制作的。在未来30-50年内,它仍将是集成电路工业最基本和最重要的功能材料。半导体硅材料以丰富的资源、优质的特性、日臻完善的工艺以及广泛的用途等而成为了当代电子工业中应用最多的半导体材料。
随着国际信息产业的迅猛发展, 电子工业和半导体工业也得到了巨大发展,并且直到20世纪末都保持稳定的15%的年增长率迅速发展,作为半导体工业基础材料的硅材料工业也将随之发展，所以研究半导体硅材料的发展现状及未来发展趋势势在必行。
一、半导体硅材料的.发展现状
由于半导体的优良性能，使其在射线探测器、整流器、集成
电路、硅光电池、传感器等各类电子元件中占有极为重要的地位。同时,由于它具有识别、存储、放大、开关和处理电信号及能量转换的功能,而使“半导体硅”实际上成了“微电子”和“现代化电子”的代名词。
二、现代微电子工业的发展对半导体硅材料的新要求 随着微电子工业飞速发展, 除了本身对加工技术和加工设备的要求之外, 同时对硅材料也提出了更新更高的要求。
1. 对硅片表面附着粒子及微量杂质的要求
随着集成电路的集成度不断提高,其加工线宽也逐步缩小,因此, 对硅片的加工、清洗、包装、储运等工作提出了更高的新要求。对于兆位级器件, 0.10μm的微粒都可能造成器件失效。亚微米级器件要求0.1μm的微粒降到10个/片以下同时要求各种金属杂质如Fe、Cu、Cr、Ni、A1、Na 等, 都要控制在目前分析技术的检测极限以下。
2. 对硅片表面平整度、应力和机械强度的要求
硅片表面的局部平整度(SFQD)一般要求为设计线宽的2/3,以64M存储器的加工线宽0.35μm为例,则要求硅片局部平整度在22mm2范围内为0.23μm, 256M电路的SFQD为0.17μm。同时,器件工艺还要求原始硅片的应力不能过分集中,机械强度要高,使器件的稳定性和可靠性得到保证,但现在这方面硅材料尚未取得突破性进展,仍是以后研究的一个课
题。
3. 对硅片表面和内部结晶特性及氧含量的要求
对大规模集成电路来说, 距硅片表面10μm 左右厚度区域为器件活性区,要求该区域性质均匀且无缺陷。64M和256M电路要求硅片的氧化诱生层错(OSF)≤20/cm2。为达到此要求,目前比较成熟的工艺是采用硅片吸除技术,分为内吸除和背面损伤吸除。现在器件厂家都根据器件工艺的需要,对硅片提出了某种含氧量要求。
