在过去的时间里，铁电体的制备有很多的方法。其中应用最广泛的有射法、溶胶-凝胶法、激光分子束外延法、脉冲激光沉积法。从化学气相沉积法到磁控或射频溅射沉积法和溶胶-凝胶法都为制备性能卓越的铁电薄膜做了深入的探索。

　　目前国内主要研究单晶生长的一些科研单位，如中科院上海桂酸盐研究所、西安工业大学以及西安交通大学等，都已成功生长出高质量的类铁电单晶，并且生长单晶的方法也己研究的较为成熟，有很好的重复性以及稳定性。可以说已经与国际水平差不多，在某些特有方面甚至是已经超过了国际水平。在实际应用当中，生长出的晶体尺寸、数量和质量能够满足一些器件对材料的要求，为这类材料的商业化奠定了基础采用改进的方法，首个国内高质量的.单晶由中科院上海娃酸盐研究所成功地生长出来，单晶的尺寸达，晶片的尺寸可达，图为上海娃酸盐研究所生长出的单晶，以及场致应变曲线如图1.3。

　　图1.3场致应变曲线

　　20xx年以来，西安工业与西安交通大学合作共同研究PMN-PT单晶的生长及性能，将Bridgmab法进行了改进，成功的生长出MPB处的PMN-32PT单晶，没有明显的杂质，为纯的丐铁矿相结构，其尺寸达Φ40mm×130mm，得到的晶体有很好的均勾性和一致性，k33达90%，d33也非常高，取值范围为1600～2400pC/N，研究了在晶体生长过程中韩钛矿相结构的稳定性，以及对出现的堪祸渗漏问题进行了探讨，同时也发现铁电相的单斜相结构可以通过偏压作用诱导形成。

　　1.3论文研究的目的与意义

　　目前，钙钛矿结构的PMN-PT晶体的性能表征工作主要集中在介电，压电和热释放方面，而对于光学性能研究相对较少。但是该种具有氧八面体类型的材料具有极优异的电光效应，特别是准同型相界附近的电光系数普遍呈现极大值。据此，可能开发出高性能的电光材料，预期在激光，光纤通讯，光信号传导等光学额领域有潜在的应用前景。为有效的探索该类晶体的光学性能，我们将使用不同波长的光测其透过率和吸收率等光学性能，研究电畴与光学性能的联系，然后加大小不同的外加电场，观察电畴的变化，测量光学性能，再利用不同的温度退火，观察光学性能，最后总结电畴形态与光学性能之间的关系。

　　基于以上的原因，本课题对晶体微结构的成分分布和光学性能之间的关系进行研究。

　　2本课题研究的主要内容和拟采用的研究方案

　　2.1论文研究的主要内容

　　本实验采用PMN-32PT铁电单晶，定向切割，把切割下来的晶体在常温下在热台偏光显微镜下观察它的电畴形态，以及各种不同波长光下的透过率和吸收率。给待测样品加外加电场的电压，观察它的电畴形态，测量他的透过率和吸收率。由于结构决定性能，所以通过对于不同结构的材料各种性能不同推断出结构与光学性能直接的联系从而得出结论。

　　(1) 在常温下，偏光显微镜下观察材料的电畴尺寸形态，不同波长光下测量待测晶体的透过率和吸收率。

　　(2) 给待测样品晶体加不同的外加电场，观察电畴以及光学性能。

　　(3) 给待测样品晶体加不同的温度退火，观察电畴以及光学性能。

　　(4) 通过不同状态下的光学性能的不同来讨论电畴与光学性能之间的联系。

　　(5)计算不同极化电场和热处理温度下材料的禁带宽度，分析外界条件对材料能级结构的影响。

　　2.2试验方案

　　本文对待测样品PMN-32PT二元晶体的微结构，晶体的光学性能等方面进行分析和表征。以下为试验方案流程：

　　先对样品进行切割，切割完成后对样品表面进行打磨和抛光，抛光完成后对样品进行清洗样品制备完成以后就可以进行实验部分。

　　将样品放在偏光显微镜下观察其微观结构，并记录照片信息。然后分别测量样品的在紫外可见光分光光度计及红外分光光度计下透过率和吸收率，并记录数据。进一步对样品施加不同的外加电场，再次测量晶体在红外和紫外可见下的透过率和吸收率。其次对样品在不同温度下退火，继续测量晶体在红外和紫外可见光下的透过率和吸收率。

　　对样品加不同的外加电场在偏光显微镜下观察其电畴形貌，然后再不同温度退火在偏光显微镜下观察其电畴形貌。