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Vishay推出新型TrenchFET功率 MOSFET

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  日前,Vishay宣布推出新型 20V和30V p-通道TrenchFET功率 MOSFET-Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8封装,具有 ±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
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  现有的同类 SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24m ,而Vishay的Si7633DP具有3.3 m(在10 V时)及5.5mΩ(在4.5V时)的超低导通电阻。这些值比最接近的同类30V器件低27%(在10 V时)和 28%(在4.5 V时),比最接近的同类25V SO8器件分别低28%和 15%。30V Si7135DP的导通电阻为 3.9mΩ(在10V 时)和6.2mΩ(在4.5V时),比最接近的同类器件分别低13%(在10V时)和19.5%(在4.5V 时)。
  这次推出的两款MOSFET均采用 PowerPAKSO-8封装,可容许比其它 SO-8封装器件高60%的最大漏电流和高75 %的最大功率损耗。
  这两款新型器件可用作适配器切换开关,用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关(在适配器/墙壁电源和电池电源间切换)一直处于导通状态,消耗电流。Si7633DP和Si7135DP的低导通电阻能耗低,节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。
  

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