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  前已述及,雷击时,雷电电磁脉冲是损坏微电子设备的主要原因,这些设备在防雷装置接闪时会受到电磁干扰,由于它们灵敏度高,耐压水平低,有时附近打雷或接闪时,也会受到雷电波的电磁辐射或受到传来的电磁波的影响。由于这些电磁波均来自建筑物外,因此防御雷电电磁脉冲干扰的理想方法就是采用屏蔽,即利用法拉第笼原理,将建筑物防雷装置设计成为笼式避雷网。

  对于钢结构及钢筋混凝土结构的建筑,应尽量利用其结构内的钢筋(地板、顶板、墙、梁、柱),使其连接构成一个六面体的网,以形成良好的屏蔽,这样,不仅能较好地防止空间电磁波的辐射,而且还可以使建筑物内部的雷电分流和均压达到最佳效果。对于砖混结构的建筑,应对其电子设备用房单独做屏蔽。

  电子应用系统对低频信号工作接地要求较高,采用联合接地体,不能允许低频工作接地系统有环流存在,因此,低频信号工作接地应采用单点接地系统,各层的低频信号工作接地均应直接接在本层的单点接地板上,整个建筑物内为树干式结线,不得形成环路,单点接地系统应由建筑物内的中心部位引到建筑的基础底板上,直接与基础装置相连并焊接,以避免防雷引下线产生的强磁场干扰。

  联合接地系统通常利用建筑物的基础作接地极,其接地电阻均<1Ω。在确定接地电阻时,应综合考虑各种设备对接地电阻值的要求,取最低值。若还不能满足要求,应在室外加打接地极,并应与建筑的联合接地极相连,以避免形成单独接地。

  3.结论

  瞬态电涌一般来源于雷击电磁脉冲和操作过电压、外部防雷措施对瞬态电涌产生的过电压起不到保护作用,必须在信息系统电源线路和信息通道上,分级设置电涌保护器 SPD,以抑制浪涌电压和旁路浪涌电流。对于电子应用类工程建筑其防雷设计应注意:

  (1)为减少直击概率,直击雷的接闪保护宜慎用避雷针,多用避雷网,若用避雷针,应远离微电子设备。

  (2)为减小建筑物遭雷击时,引下线流经的强大的雷电流所产生的强磁场对微电子设备的干扰,应在满足规范的前提下,适当增加引下线的数量,从而减小每根引下线的电流密度及响应产生的磁场强度,同时,增加引下线对于屏蔽的效果也有好处。

  (3)为防御建筑物外雷电波的电磁辐射,减小建筑物内感应的电磁脉冲对微电子设备的影响,采用的最好办法是屏蔽,把建筑物防雷设计成为笼式避雷网。

  (4)为防御建筑物内产生反击电压,保证人身及设备安全,在建筑物内做等电压电位连接。

  (5)为防御雷电波侵入,对于高、低压架空进线的建筑,应采取加装避雷器及过电压保护器等以防雷电波侵入的措施。对于天线、航空障碍灯,也应考虑防雷电波侵入措施,在其电力系统中应加装浪涌保护器。并在信息系统电源线路和信息通道上,分级设置电涌保护器 SPD。

  (6)为减少因引下泄流在建筑内靠外墙处产生的强磁场对设备的影响,建筑内电力及通信主干线应尽量设在建筑物的中心位置,其精密电子设备用房也应远离靠外墙处。

电子毕业论文2

  摘 要:社会竞争随着经济发展越来越激烈,因此对于人才的选拔要求也就越来越高。人才不仅仅需要具备扎实的专业知识和技术能力,同时还需适应社会发展的需求具有良好的创新精神,这样才能有效的保证企业适应社会发展立足于社会当中。由此而见,在学生学习时期,创新能力的培养显得十分重要。

  一.电子技术产业发展现状

  我国电子技术产业优势不够明显,不具备足够的产业优势,原材料的短缺都严重影响了电子技术产业的发展。现代企业管理者是创新教育的实施者,然而部分管理者对创新发展的认识相对不足,一定程度上影响了企业的发展,导致发展模式受到了限制,从而导致电子产业优势逐渐弱化。电子技术产业涉及到的科技技术相对较多,在发展与创新前,我们必须对其产业结构进行及时调整,然而创新意识的缺乏阻碍了电子技术产业的发展。我国目前电子产业技术水平相对偏低,对电子技术产业的发展起到一定影响。此外,我国电子产业技术的创新能力相对薄弱,对产业技术发展认识不到位,创新服务也具有一定滞后性,严重制约了我国电子技术产业的健康发展。当前,国内机电元器件市场存在粗制滥造及恶意压价的现象,并且质量相对较差,具备温度特性差、电器反应不灵敏、使用寿命短等特点。如果将这些质量差的电元器件应用到电子产品中,会造成严重的生产事故。电子技术产品安全性与可靠性的提高需要一定的数据作为实践基础,由于我国电子产品发展较晚,导致数据累积相对薄弱,不能为广大电子企业生产提供任何帮助,这也是我国电子技术产品发展相对滞后的主要原因。

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