前已述及，雷击时，雷电电磁脉冲是损坏微电子设备的主要原因，这些设备在防雷装置接闪时会受到电磁干扰，由于它们灵敏度高，耐压水平低，有时附近打雷或接闪时，也会受到雷电波的电磁辐射或受到传来的电磁波的影响。由于这些电磁波均来自建筑物外，因此防御雷电电磁脉冲干扰的理想方法就是采用屏蔽，即利用法拉第笼原理，将建筑物防雷装置设计成为笼式避雷网。
对于钢结构及钢筋混凝土结构的建筑，应尽量利用其结构内的钢筋(地板、顶板、墙、梁、柱)，使其连接构成一个六面体的网，以形成良好的屏蔽，这样，不仅能较好地防止空间电磁波的辐射，而且还可以使建筑物内部的雷电分流和均压达到最佳效果。对于砖混结构的建筑，应对其电子设备用房单独做屏蔽。
电子应用系统对低频信号工作接地要求较高，采用联合接地体，不能允许低频工作接地系统有环流存在，因此，低频信号工作接地应采用单点接地系统，各层的低频信号工作接地均应直接接在本层的单点接地板上，整个建筑物内为树干式结线，不得形成环路，单点接地系统应由建筑物内的中心部位引到建筑的基础底板上，直接与基础装置相连并焊接，以避免防雷引下线产生的强磁场干扰。
联合接地系统通常利用建筑物的基础作接地极，其接地电阻均<1Ω。在确定接地电阻时，应综合考虑各种设备对接地电阻值的要求，取最低值。若还不能满足要求，应在室外加打接地极，并应与建筑的联合接地极相连，以避免形成单独接地。
3.结论
瞬态电涌一般来源于雷击电磁脉冲和操作过电压、外部防雷措施对瞬态电涌产生的过电压起不到保护作用，必须在信息系统电源线路和信息通道上，分级设置电涌保护器 SPD，以抑制浪涌电压和旁路浪涌电流。对于电子应用类工程建筑其防雷设计应注意：
(1)为减少直击概率，直击雷的接闪保护宜慎用避雷针，多用避雷网，若用避雷针，应远离微电子设备。
(2)为减小建筑物遭雷击时，引下线流经的强大的雷电流所产生的强磁场对微电子设备的干扰，应在满足规范的前提下，适当增加引下线的数量，从而减小每根引下线的电流密度及响应产生的磁场强度，同时，增加引下线对于屏蔽的效果也有好处。
(3)为防御建筑物外雷电波的电磁辐射，减小建筑物内感应的电磁脉冲对微电子设备的影响，采用的最好办法是屏蔽，把建筑物防雷设计成为笼式避雷网。
(4)为防御建筑物内产生反击电压，保证人身及设备安全，在建筑物内做等电压电位连接。
(5)为防御雷电波侵入，对于高、低压架空进线的建筑，应采取加装避雷器及过电压保护器等以防雷电波侵入的措施。对于天线、航空障碍灯，也应考虑防雷电波侵入措施，在其电力系统中应加装浪涌保护器。并在信息系统电源线路和信息通道上，分级设置电涌保护器 SPD。
(6)为减少因引下泄流在建筑内靠外墙处产生的强磁场对设备的影响，建筑内电力及通信主干线应尽量设在建筑物的中心位置，其精密电子设备用房也应远离靠外墙处。
摘 要：社会竞争随着经济发展越来越激烈，因此对于人才的选拔要求也就越来越高。人才不仅仅需要具备扎实的专业知识和技术能力，同时还需适应社会发展的需求具有良好的创新精神，这样才能有效的保证企业适应社会发展立足于社会当中。由此而见，在学生学习时期，创新能力的培养显得十分重要。
一.电子技术产业发展现状
我国电子技术产业优势不够明显，不具备足够的产业优势，原材料的短缺都严重影响了电子技术产业的发展。现代企业管理者是创新教育的实施者，然而部分管理者对创新发展的认识相对不足，一定程度上影响了企业的发展，导致发展模式受到了限制，从而导致电子产业优势逐渐弱化。电子技术产业涉及到的科技技术相对较多，在发展与创新前，我们必须对其产业结构进行及时调整，然而创新意识的缺乏阻碍了电子技术产业的发展。我国目前电子产业技术水平相对偏低，对电子技术产业的发展起到一定影响。此外，我国电子产业技术的创新能力相对薄弱，对产业技术发展认识不到位，创新服务也具有一定滞后性，严重制约了我国电子技术产业的健康发展。当前，国内机电元器件市场存在粗制滥造及恶意压价的现象，并且质量相对较差，具备温度特性差、电器反应不灵敏、使用寿命短等特点。如果将这些质量差的电元器件应用到电子产品中，会造成严重的生产事故。电子技术产品安全性与可靠性的提高需要一定的数据作为实践基础，由于我国电子产品发展较晚，导致数据累积相对薄弱，不能为广大电子企业生产提供任何帮助，这也是我国电子技术产品发展相对滞后的主要原因。
